| Indi phosphide | |
|---|---|
 | |
 | |
| Tên khác | Indi(III) phosphua |
| Nhận dạng | |
| Số CAS | |
| PubChem | |
| Ảnh Jmol-3D |
ảnh 2 |
| SMILES | đầy đủ
|
| InChI | đầy đủ
|
| Thuộc tính | |
| Công thức phân tử | InP |
| Khối lượng mol | 145.792 g/mol |
| Bề ngoài | tinh thể lập phương đen |
| Khối lượng riêng | 4.81 g/cm³, rắn |
| Điểm nóng chảy | 1.062 °C (1.335 K; 1.944 °F) |
| Điểm sôi | |
| Độ hòa tan | tan ít trong axit |
| BandGap | 1.344 eV (300 K; direct) |
| ElectronMobility | 5400 cm²/(V•s) (300 K) |
| Độ dẫn nhiệt | 0.68 W/(cm•K) (300 K) |
| Chiết suất (nD) | 3.1 (infrared); 3.55 (632.8 nm) |
| Cấu trúc | |
| Cấu trúc tinh thể | Zinc blende |
| Hằng số mạng | a = 5.8687 Å |
| Tọa độ | Tetrahedral |
| Nhiệt hóa học | |
|
Enthalpy hình thành ΔfH |
-88.7 kJ/mol |
|
Entropy mol tiêu chuẩn S |
59.8 J/(mol•K) |
| Nhiệt dung | 45.4 J/(mol•K) |
| Các nguy hiểm | |
| Nguy hiểm chính | Độc, thủy phân ra phốtphin |
| Các hợp chất liên quan | |
| Anion khác |
Indi nitride Indi arsenua Indi antimonua |
| Cation khác |
Nhôm phosphua Gali phosphua |
| Hợp chất liên quan |
Indi gali phosphua Nhôm gali indi phosphua Gali indi arsenua antimonua phosphua |
|
Trừ khi có ghi chú khác, dữ liệu được cung cấp cho các vật liệu trong trạng thái tiêu chuẩn của chúng (ở 25 °C [77 °F], 100 kPa). | |
Indi phosphua hay phosphua indi (InP) là một chất bán dẫn nhị phân bao gồm indi và phosphor. Nó có cấu trúc tinh thể hình khối đặt chính giữa mặt ("Zincblende"), giống hệt với GaAs và hầu hết các chất bán dẫn III-V.
InP được sử dụng cùng với indi gali arsenua để tạo ra transistor lưỡng cực dị thể giả (pseudomorphic heterojunction bipolar transistor) có thể hoạt động ở tần số 604 GHz.